Toshiba ontwikkelt lage spanningstechnologie voor ingebedde SRAM

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba meldt de ontwikkeling van een innovatieve lagespanningstechnologie voor ingebedde SRAM voor applicaties in smartphones en andere mobiele apparaten.

De nieuwe technologie vermindert actieve en standby stroomverbruik bij temperaturen variërend van kamertemperatuur tot hoge temperaturen door gebruik te maken van een 'bit line power calculator' (BLPC) en een digitaal controleerbare retentie circuit (DCRC).

Een prototype heeft aangetoond de actieve en standby stroomverbruik met respectievelijk 27 en 85 procent te verlagen.

Toshiba heeft zijn ontwikkeling op de 2013 International Solid-State Circuit Conference gepresenteerd.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal welke als enige juridische geldigheid beoogt.